تشكيل اتجاه المجال المغناطيسي هو الطريقة الأكثر استخدامًا للحصول على مغناطيس متباين الخواص باستخدام التفاعل بين المسحوق المغناطيسي والمجال المغناطيسي الخارجي لترتيب اتجاه المغنطة السهل لجزيئات المسحوق بحيث تكون متسقة مع اتجاه المغنطة النهائي للمغناطيس. تقسم عملية تحضير المسحوق سبيكة Nd-Fe-B إلى جسيمات بلورية مفردة ، والتي بدورها متباينة الخواص أحادية المحور ، مع كل جسيم به محور مغناطيسي واحد فقط -- المحور c لخلية الطور الرئيسي. يُملأ المسحوق بشكل غير محكم في القالب ، وتبلغ كثافة التعبئة حوالي 25 بالمائة -30 بالمائة من الكثافة الحقيقية. تحت تأثير المجال المغناطيسي الخارجي فوق 0 .8A / م ، تتغير جزيئات المسحوق من عدة مجالات إلى مجالات فردية ، ويتم تعديل اتجاه المغنطة السهلة إلى اتجاه المجال المغناطيسي الخارجي عن طريق الدوران أو الحركة .
في الإنتاج الصناعي ، تنقسم طرق التشكيل بالضغط إلى تشكيل لمرة واحدة وتشكيل ثنائي الوقت.
يمكن استخدام أحد التشكيلات مكبسًا أحادي الاتجاه (الضغط بشكل عام 50-100 MPa ، كثافة الحبيبات 55 بالمائة -60 بالمائة من الكثافة الحقيقية) أو مكبس متساوي البرودة (الضغط بشكل عام 200 ميجا باسكال ، كثافة البليت 60 في المئة من الكثافة الحقيقية).
يمكن أن يستخدم تشكيلان مكبسًا أحادي الاتجاه (الضغط عمومًا 20-30 MPa ، كثافة مدمجة 45 بالمائة من الكثافة الحقيقية) بالإضافة إلى مكبس متوازن بارد (الضغط بشكل عام 200 ميجا باسكال ، كثافة مضغوطة 60 بالمائة من الكثافة الحقيقية).
في عملية تشكيل الاتجاه ، يحتفظ مسحوق السبيكة بشكل أساسي بحالة اتجاه المحور C. بعد الانتهاء من الضغط ، يتم إزالة المغناطيسية من الفراغ (للقضاء على تلف تفاعل ثنائي القطب المغناطيسي بين جزيئات المسحوق المغناطيسي على اتجاه الجسيمات المجاورة) ، ثم يتم إزالة القالب. يمكن الحصول على فراغ مع اتجاه جيد في اتجاه مغنطة سهلة.
سيؤدي الضغط حتى 100 ميجا باسكال إلى إجبار المسحوق المغناطيسي على الانصياع لحالة التوازن للقوة الميكانيكية والقوة المغناطيسية ، والتي ستؤدي حتماً إلى حركة أو دوران جزيئات المسحوق المغناطيسي ، مما قد يجعل محورها c ينحرف عن اتجاه الخارج. المجال المغناطيسي وتقليل اتجاه الفراغ. لذلك ، فإن عملية تشكيل المجال المغناطيسي هي موازنة العلاقة بين شدة المجال المغناطيسي وتشكيل الضغط بشكل معقول تحت فرضية الوصول إلى كثافة فارغة ، وذلك للحصول على أعلى توجيه ممكن.
